GE WES5302-111反射內(nèi)存模塊

產(chǎn)品概述

GE WES5302-111是一款反射內(nèi)存模塊，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序。它通常用于工業(yè)控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和測(cè)試測(cè)量系統(tǒng)中，提供快速、可靠和安全的存儲(chǔ)解決方案。GE是全球知名的電氣設(shè)備制造商，他們的產(chǎn)品以高性能、高可靠性和安全性著稱。WES5302-111反射內(nèi)存模塊采用堅(jiān)固耐用的設(shè)計(jì)，可承受惡劣的環(huán)境條件，并具有多種功能，使其成為各種應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品參數(shù)

型號(hào)：WES5302-111

內(nèi)存類型：DDR4 SDRAM

容量：2 GB

速度：2666 MHz

電壓：1.2 V

工作溫度范圍：-40°C至85°C

存儲(chǔ)溫度范圍：-55°C至125°C

濕度：5%至95%(非冷凝)

防護(hù)等級(jí)：IP67

尺寸：133 mm x 42 mm x 3 mm

重量：0.01 kg

產(chǎn)品規(guī)格

ECC：支持

功耗：最大4 W

系列

WES5302-111屬于WES5300系列反射內(nèi)存模塊。該系列模塊具有以下特點(diǎn)：

高性能

高可靠性

安全性高

特征

WES5302-111反射內(nèi)存模塊具有以下特征：

高速：2666 MHz速度

高容量：2 GB容量

低功耗：最大4 W功耗

支持ECC：提高數(shù)據(jù)完整性

堅(jiān)固耐用：可承受惡劣的環(huán)境條件

易于安裝和維護(hù)

作用

GE WES5302-111反射內(nèi)存模塊的作用是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序。它可以幫助用戶輕松地存儲(chǔ)和訪問(wèn)控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和測(cè)試測(cè)量系統(tǒng)所需的數(shù)據(jù)和程序。

用途

GE WES5302-111反射內(nèi)存模塊可用于各種應(yīng)用，包括：

工業(yè)控制系統(tǒng)：存儲(chǔ)控制程序和數(shù)據(jù)

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)：存儲(chǔ)采集到的數(shù)據(jù)

測(cè)試測(cè)量系統(tǒng)：存儲(chǔ)測(cè)試結(jié)果和數(shù)據(jù)

應(yīng)用領(lǐng)域

GE WES5302-111反射內(nèi)存模塊可應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

制造業(yè)

能源

公用事業(yè)

交通運(yùn)輸

國(guó)防