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產(chǎn)品描述

5SHX2645L0004 ABB IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導通損耗等特點，而且制造成本低，成品率高，有很好的應用前景。

通常在器件設(shè)計中，如果需要高的阻斷電壓值，就得要求硅片的厚度增加。但硅片厚度的增加必將導致導通和開關(guān)損耗的增大。IGCT采用緩沖層結(jié)構(gòu)后，在相同阻斷電壓下，硅片厚度和標準結(jié)構(gòu)更薄，從而大大降低了導通和開關(guān)損耗，從而提高了器件的效率。采用緩沖層還使單片GCT與二極管的組合成為可能。

5SHX2645L0004 ABB IGCT驅(qū)動中最具特點的是其借助集成門極電路實現(xiàn)的“門極換流”和“硬驅(qū)動”關(guān)斷過程。

5SHX2645L0004 ABB IGCT集成門極換流晶閘管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一種中壓變頻器開發(fā)的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體開關(guān)器件(集成門極換流晶閘管=門極換流晶閘管+門極單元)。1997年由ABB公司提出。IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關(guān)速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進展，給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動器在外圍以低電感方式連接，結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點，在導通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導通損耗等特點，而且造成本低，成品率高，有很好的應用前景。已用于電力系統(tǒng)電網(wǎng)裝置（100MVA）和的中功率工業(yè)驅(qū)動裝置（5MW）IGCT在中壓變頻器領(lǐng)域內(nèi)成功的應用了11年的時間（到09年為止），由于IGCT的高速開關(guān)能力無需緩沖電路，因而所需的功率元件數(shù)目更少，運行的可靠性大大增高。

IGCT集IGBT（絕緣門極雙極性晶體管）的高速開關(guān)特性和GTO（門極關(guān)斷晶閘管）的高阻斷電壓和低導通損耗特性于一體，一般觸發(fā)信號通過光纖傳輸?shù)絀GCT單元。在ACS6000的有緣整流單元的相模塊里，每相模塊由IGCT和二極管、鉗位電容組成，由獨立的門極供電單元GUSP為其提供能源。