描述

產(chǎn)品描述

5SHY3545L0003 IGCT集成門極換流晶閘管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一種中壓變頻器開發(fā)的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體開關器件(集成門極換流晶閘管=門極換流晶閘管+門極單元)。IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進展，給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動器在外圍以低電感方式連接，結合了晶體管的穩(wěn)定關斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點，在導通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開關頻率高、可靠性高、結構緊湊、低導通損耗等特點，而且造成本低，成品率高，有很好的應用前景。已用于電力系統(tǒng)電網(wǎng)裝置（100MVA）和的中功率工業(yè)驅(qū)動裝置（5MW）IGCT在中壓變頻器領域內(nèi)成功的應用了11年的時間（到09年為止），由于IGCT的高速開關能力無需緩沖電路，因而所需的功率元件數(shù)目更少，運行的可靠性大大增高。

。

用于一種新型的帶輸出的大功率三相逆變器新型高功率半導體的發(fā)展10kV范圍內(nèi)的電壓三電平中性點

如3.3kV、4.5kV和6.5kV絕緣柵雙極晶體管選擇了箝位（3L-NPC）拓撲結構，因為它提供（IGBT）和4.5kV至6kV集成柵極整流顯著優(yōu)勢，如晶閘管（IGCT）、改進的轉(zhuǎn)換器設計和廣泛的三電平拓撲結構的引入導致了

?少量附加組件，以增加提高PWM控制電壓的市場份額級別數(shù)量從2到3（僅增加2個NPC源轉(zhuǎn)換器。同時，這些轉(zhuǎn)換器，范圍從每個相支路的二極管）0.5MVA至10MVA，正變得具有價格競爭力

?兩個簡單的箝位電路，用于整個三相傳統(tǒng)的晶閘管變換器，因為減少了線路電流-逆變器monics，更好的功率因數(shù)，顯著更小的濾波器，

?低輸出電壓諧波/減少濾波器工作變壓器的淘汰和優(yōu)化電力的使用由于三個層次的特性機器可以在許多方面降低系統(tǒng)的成本

?簡單的機械設計（這在逆變器中至關重要工業(yè)、配電和輸電中的應用[1]，具有3個以上級別）。

?可以使用建立良好的直接扭矩控制三個IGCT的簡單直接串聯(lián)

?這些應用程序的一個明顯的市場趨勢是增加輸出電壓的開關位置額定轉(zhuǎn)換器電壓。

全轉(zhuǎn)矩低轉(zhuǎn)速驅(qū)動的完美仿真為了證明這種方法的可行性，需要進行一個全面的階段速度或零速度，這對逆變器要求最高

支路已經(jīng)使用3個設備的3L-NPC拓撲結構構建關于電流應力和熱負載。

每個開關位置串聯(lián)的（IGCT、二極管）由RC緩沖器平衡。電感器已被用作負載，這個16ms至16.1ms，接通電流1.5kA，關斷電流使用其中三種的三相逆變器的技術數(shù)據(jù)

1.7kA）。

可以清楚地看到由夾具引起的串聯(lián)連接的器件之間的電壓平衡。