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描述

1769-L30ER

?近幾個(gè)月來，固態(tài)硬盤（SSD）供應(yīng)商針對(duì)數(shù)據(jù)中心與企業(yè)應(yīng)用，已經(jīng)開始推銷可將多層單元閃存用于企業(yè)級(jí)硬盤的產(chǎn)品。這些硬盤將進(jìn)入幾十年來由7200轉(zhuǎn)和15000轉(zhuǎn)硬盤，以及開放線性磁帶（LTO）和其他基于磁帶和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置一統(tǒng)天下的應(yīng)用領(lǐng)域。

? ? 企業(yè)存儲(chǔ)應(yīng)用與消費(fèi)者存儲(chǔ)應(yīng)用的不同之處主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)規(guī)格中：企業(yè)硬盤運(yùn)行的溫度范圍要大于消費(fèi)者硬盤；有高負(fù)載率的數(shù)據(jù)流量、全天候通電，而且必須有5-7年的典型數(shù)據(jù)存儲(chǔ)壽命（平均無故障時(shí)間達(dá)4.4萬小時(shí)）；企業(yè)硬盤上所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)大小也不同，它包括從大量小文件的交易數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到在大型數(shù)據(jù)庫(kù)上的細(xì)微查詢，以及由一個(gè)共享計(jì)算機(jī)系統(tǒng)訪問的超大型視頻和數(shù)據(jù)庫(kù)文件存儲(chǔ)。
? ? 存儲(chǔ)于云和數(shù)據(jù)中心不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)量已使最先進(jìn)的傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)成為數(shù)據(jù)訪問的瓶頸。因而，固態(tài)硬盤作為新一級(jí)的存儲(chǔ)子系統(tǒng)，已逐步占據(jù)該領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。利用DRAM制成的首批SSD可提供高的傳輸速度和吞吐量，但需要連續(xù)功率來維持已存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。從功率、性能和容量來看，基于DRAM的大容量存儲(chǔ)裝置的費(fèi)用限制了其應(yīng)用范圍。
? ? 新型SSD采用了非易失性、NAND閃存技術(shù)。它擁有高存儲(chǔ)容量，可長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)，而且不需消耗功率也能維持?jǐn)?shù)據(jù)——只需訪問即可。不過事物都是有兩面性的：DRAM擁有對(duì)稱讀/寫性能，只要有電就可以無限制地讀取和寫入，而閃存讀寫的訪問次數(shù)卻是不對(duì)稱的。閃存的使用壽命也是有限的，有時(shí)是基于寫入的次數(shù)，而在某些條件下又是基于讀取的次數(shù)。
? ? 對(duì)于一個(gè)接口而言，我們不能在操作系統(tǒng)層面上處理這些基本的讀寫過程，而是需要設(shè)計(jì)定制的固件和功能控制的編程，它們對(duì)每個(gè)硬盤制造商來說都是獨(dú)一無二的。這樣的變化形式和多樣性增加了維護(hù)成千上萬個(gè)硬盤柜的費(fèi)用和復(fù)雜性，如今，這種規(guī)模已成為普遍現(xiàn)象。
? ? 閃存技術(shù)正在朝著兩個(gè)方向發(fā)展：一種是工藝尺度的縮減，使得相同芯片面積下能夠容納更多單元；另一種是架構(gòu)調(diào)整，以增加每個(gè)閃存單元可以存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位數(shù)。用于制造存儲(chǔ)單元的最先進(jìn)工藝結(jié)點(diǎn)范圍為22nm-19nm；下一代節(jié)點(diǎn)為14nm。這些工藝能夠制造出非常大的芯片，單單一個(gè)片芯上的單元就超過了80億。
? ? 同時(shí)，為了滿足日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求并減少存儲(chǔ)成本，閃存制造商已經(jīng)推動(dòng)了技術(shù)發(fā)展，使一個(gè)單元內(nèi)可存儲(chǔ)多個(gè)數(shù)據(jù)位?，F(xiàn)有不同種類的閃存或發(fā)展中的閃存包括：?jiǎn)渭?jí)單元（SLC）、多級(jí)單元（MLC）、三級(jí)單元（TLC）及四級(jí)單元（QLC）器件，每個(gè)單元中分別可以儲(chǔ)存1bit、2bit、3bit和4bit。
? ? 帶糾錯(cuò)碼（ECC）的SLCNAND閃存可提供10萬次寫入/擦除周期，及10年的數(shù)據(jù)保持期；帶ECC的MLCNAND閃存可提供3000-1萬次寫入/擦除周期；TLCNAND閃存提供250-500次寫入/擦除周期。
? ? 存儲(chǔ)于云和數(shù)據(jù)中心不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)量已使傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)成為數(shù)據(jù)訪問的瓶頸。如今，SSD已占據(jù)主導(dǎo)地位。
? ? QLCNAND閃存于2011年面世。開發(fā)商包括英特爾公司、美光科技公司、三星、美國(guó)晟碟及東芝。
? ? 非SLC技術(shù)的自身特性無疑不能滿足企業(yè)應(yīng)用的要求。而現(xiàn)在出現(xiàn)了一些新的數(shù)字信號(hào)處理（DSP）、ECC和寫入波形方法，使這些高密度技術(shù)可以用于企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)。開發(fā)商們正各自致力于研究這些技術(shù)，主要是針對(duì)固件，以支持不同供應(yīng)商的閃存核心，而解決方案正在逐步進(jìn)入市場(chǎng)。

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先介紹幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)。
1、先通讀一遍“系統(tǒng)手冊(cè)”（不管能不能看懂，先了解個(gè)大概，以便學(xué)習(xí)編程時(shí)查找）；
2、由位控邏輯入手，逐漸增加定時(shí)、計(jì)數(shù)等條件，把或、與、非關(guān)系理順；
3、進(jìn)而練習(xí)整數(shù)運(yùn)算、實(shí)數(shù)運(yùn)算、類型轉(zhuǎn)換；
4、量程轉(zhuǎn)換、PID調(diào)節(jié)回路的建立及P、I、D參數(shù)的理解（最好是有個(gè)物理回路驗(yàn)證，比如變頻器+電機(jī)+測(cè)速傳感器）；
5、循環(huán)、順序、跳轉(zhuǎn)等程序控制（盡量避免跳轉(zhuǎn)，非跳不可時(shí)也是跳的越近越好）；
6、中斷、通訊、位置控制....

本人以ABB工業(yè)機(jī)器人配件DSQC系列和Motorola MVME系列，GE 卡件 模塊 驅(qū)動(dòng)器系列為主攻。各位電工朋友可根據(jù)自己的條件選擇適合自己的PLC品牌，由于PLC的基本框架大同小異，學(xué)會(huì)一種至于其它的學(xué)習(xí)起來也就簡(jiǎn)單了。

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